温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJD11N06A-AU_L2_000A1
1个N沟道 耐压:60V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@6A < 75mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@3A < 90mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD11N06A-AU_L2_000A1
- 商品编号
- C2844881
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 47pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型MOSFET，封装为LFPAK56（Power SO8）表面贴装器件（SMD）塑料封装。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反接电池保护。
商品特性
~~- 高散热功率能力-额定温度达175°C,适用于对散热要求高的环境-沟槽MOSFET技术-通过AEC-Q101认证
应用领域
- 反接电池保护-电源管理-高端负载开关-电机驱动
相似推荐
其他推荐