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PJW4N06A
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，I@3.0A < 100mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，I@2.0A < 110mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJW4N06A
- 商品编号
- C2844883
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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