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PJW4N06A-AU
N沟道增强模式MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：R_GSON：V_GS@10V，I_D@3A < 100mΩ。R_DSON：V_GS@4.5V，I_D@2A < 110mΩ。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。通过AEC-Q101认证。符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJW4N06A-AU
- 商品编号
- C2844884
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO3400MI-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 AO3400MI-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为3 A时,RDS(ON) < 100 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为2 A时,RDS(ON) < 110 mΩ
- 先进沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物