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G30N02T
1个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N02T
- 商品编号
- C2842557
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
G80N03K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS,稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
- 特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关应用-负载开关-LED电源