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G04NP03S
N沟道和P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换高端开关，以及其他许多应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G04NP03S
- 商品编号
- C2842561
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A；4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V；1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V；16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530.3pF；729.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61.2pF；107.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67.1pF；112.6pF |