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GT60N12T
1个N沟道 耐压:120V 电流:6A
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- 描述
- 采用先进技术，提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。专为获得更好的耐用性而设计，适用于电机控制应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT60N12T
- 商品编号
- C2842560
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8097nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 356.1pF |
商品概述
SI2333AI-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -18V，漏极电流（ID） = -6.5A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源