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G30N02T
1个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G30N02T
- 商品编号
- C2842557
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
G80N03K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏极电流（VGS = 10V时的ID）：80A
- 导通状态漏源电阻（VGS = 10V时的RDS(ON)）：< 6.5mΩ
- 导通状态漏源电阻（VGS = 5V时的RDS(ON)）：< 10mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器