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SIR882DP-T1-GE3
N沟道,电流:60A,耐压:100V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR882DP-T1-GE3
- 商品编号
- C2842349
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 30V/6A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 21mΩ（最大值）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 30mΩ（最大值）
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
- 经过100%单脉冲雪崩测试
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。