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SIHD7N60E-GE3
N沟道 耐压:600V 电流:7A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD7N60E-GE3
- 商品编号
- C2842886
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 39pF |
商品概述
SOT23 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 漏源电压（V） = 30V
- 漏极电流 = 5.8A（栅源电压 = 10V）
- 导通电阻 < 22mΩ（栅源电压 = 10V）
- 导通电阻 < 34mΩ（栅源电压 = 4.5V）
应用领域
- 适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。-该器件适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
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