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SI4186DY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:35.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：OR-ing DC/DC低侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4186DY-T1-GE3
- 商品编号
- C2842887
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.248克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 453pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽型场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 或门应用
- DC/DC低端开关
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