温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFZ44PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于功率耗散水平约达50 W的商业 - 工业应用，TO - 220AB封装普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFZ44PBF
- 商品编号
- C2842824
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 920pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- 动态 dV/dt 额定值
- 175 °C 工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 开关应用