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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：专为高速脉冲放大器和驱动应用设计。 采用N沟道DMOS工艺制造。 ESD MIL-STD 833，±2.5KV接触放电兼容保护
- 品牌名称
- PSI(宝力芯)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C2840893
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
GT080N10M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：100V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：70A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 8 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 12 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流 - 直流转换器