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G25P06K
P沟道增强模式功率MOSFET,电流:-25A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G25P06K
- 商品编号
- C2840764
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.384nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 栅源电压（VGS）为10V时的漏极电流（ID） = 140A
- 栅源电压（VGS）为10V时的导通电阻（RDS(ON)） < 2.5mΩ
- 栅源电压（VGS）为4.5V时的导通电阻（RDS(ON)） < 3.5mΩ
- 100%进行非钳位感性负载（UIS）测试
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 采用最新的沟槽式低电压功率技术
- 栅源电压（VGS）为4.5V时导通电阻（RDS(ON)）极低
- 栅极电荷低
- 电流承载能力高
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的直流-直流（DC/DC）转换器
- 电信和工业领域的隔离式直流-直流（DC/DC）转换器