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G18NP06Y
N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:18A
- 描述
- 类型：N+P沟道 漏源电压(Vdss)：60V/-60V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 阈值电压(Vgs(th))：2.5V/-3.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：26mΩ/33mΩ@10V 30mΩ@4.5V 封装：TO-252-4
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G18NP06Y
- 商品编号
- C28422876
- 商品封装
- TO-252-4Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.446nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
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