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G300N04S2实物图
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G300N04S2

双N沟道,电流:5.5A,耐压:40V

描述
类型:N+N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):5.5A 阈值电压(Vgs(th)):2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs:23mΩ@10V 32mΩ@4.5V 封装:SOP-8 Dual
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G300N04S2
商品编号
C28422916
商品封装
SOP-8Dual​
包装方式
编带
商品毛重
0.173181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC
输入电容(Ciss)522pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)38pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

G300N04S2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS 40V
  • ID(VGS = 10 V时)5.5A
  • RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 30 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 40 mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF