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G2R1000MT17D
1700V 1000mΩ SiC MOSFET
- 描述
- 特性：G2R技术。 RDS(ON)与温度的相关性更平缓。 LoKing技术。应用：辅助电源
- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G2R1000MT17D
- 商品编号
- C28422892
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 111pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.59Ω |