WNM2021-3/MS
1个N沟道 耐压:20V 电流:820mA 6C
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- 品牌名称MSKSEMI(美森科)
商品型号
WNM2021-3/MS商品编号
C2836380商品封装
SOT-323包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 820mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@4.5V,550mA | |
| 功率(Pd) | 310mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 580mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@10V | |
| 工作温度 | - |
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