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AO3401CI-MS
A19T 1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- AO3401CI - MS 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。AO3401CI - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO3401CI-MS
- 商品编号
- C2836398
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 503pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
商品特性
- 表面贴装封装
- 低漏源导通电阻RDS(ON)
- 静电放电（人体模型）保护能力高达2KV
应用领域
- 开关应用
- 小型伺服电机控制