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MSESD5451X
静电放电（ESD）、瞬态电压抑制器（TVS）、晶闸管浪涌抑制器（TSS）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）、聚合物静电放电二极管（PLED）
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- 描述
- C
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MSESD5451X
- 商品编号
- C2836382
- 商品封装
- DFN1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 12V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 120W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 5.6V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
该器件提供针对静电放电和电气快速瞬变脉冲群的瞬态保护，每线路具备120W的峰值脉冲功率，采用双向配置，响应时间典型值小于1纳秒，具有低钳位电压，符合RoHS标准。
商品特性
- 每线路峰值脉冲功率为120W（tₚ = 8/20μs）
- 采用DFN1006-2L封装
- 可替代MLV（0402）
- 双向配置
- 响应时间典型值小于1纳秒
- 低钳位电压
- 符合RoHS标准
- 为数据线路提供瞬态保护，符合IEC61000-4-2（ESD）±30kV（空气放电）、±30kV（接触放电）；IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）标准
应用领域
- 蜂窝电话
- 便携式设备
- 数码相机
- 电源