BAT32G135-S

超低功耗BAT32G135-S采用高性能的ARM Cortex -M0+的32位RISC内核，最高可工作于64兆赫兹频率，采用高速的嵌入式闪存（SRAM最大8KB，程序/数据闪存最大64KB）。本产品集成I2C、SPI、UART、LIN多种标准接口。集成12bit A/D转换器、温度传感器、比较器，可编程增益放大器。其中12bit A/D转换器可以于采集外部传感器信号，降低系统设计成本。芯片内集成的温度传感器则可实现对外部环境温度实时监控。芯片内部集成的比较器，可支持高速和低速两种工作模式，在高速模式下可支持高速运转马达的控制反馈，而在低速模式下则可用于电池监测。集成8通道16bit定时器模块，并搭载EPWM控制电路，结合定时器可实现一个直流电机或者两个步进电机的控制。 BAT32G135-S还具有出色的低功耗性能，支持睡眠和深度睡眠两种低功耗模式，设计灵活。其运行功耗为35uA/MHz@64MHz，在深度睡眠模式下功耗仅0.45uA，适合采用电池供电的低功耗设备。同时，由于集成事件联动控制器，可实现硬件模块之间的直接连接，无需CPU的干预，比使用中断响应速度更快，同时降低了CPU的活动频率，延长了电池寿命。

• 超低功耗工作环境：电源电压范围1.8V到5.5V，温度范围 -40℃到105℃，低功耗模式有睡眠模式、深度睡眠模式，运行功耗35uA/MHz@64MHz，深度睡眠模式下功耗0.45uA，深度睡眠模式 +32.768K + F RTC工作功耗0.7uA
• ARM 32-bit Cortex -M0+ CPU工作频率32KHz～64MHz
• 64KB Flash存储器，程序与数据存储共享，1.5KB专用数据Flash存储器，8KB SRAM存储器，附带奇偶校验
• 内置上电复位（POR）电路，内置电压检测（LVD）电路（门限电压可设）
• 内置高速发振器，精度（± 1%），可提供1 MHz～64 MHz系统时钟及外围模块动作时钟，内置15KHz低速振荡器，支持1MHz～20MHz外部晶体振荡器，支持32.768KHz外部晶体振荡器
• 乘法器模块支持32周期32bit乘法运算
• 增强型DMA控制器：中断触发启动，传送模式可选（正常传送模式、重复传送模式、块传送模式以及链传送模式），传送源/目的领域为全地址空间范围可选
• 联动控制器能将事件信号链接到一起，实现外围功能的联动，事件输入15种，事件触发4种
• 12位精度ADC转换器，转换速率1.42Msps，外部模拟通道数35个，内部可选PGA0/1输出，作为转换通道，带温度传感器，支持单通道转换模式和多通道扫描转换模式，转换范围0到正参考电压
• 比较器（CMP），内置两通道比较器，输入源可选，基准电压可选择外部基准电压或内部基准电压
• 可编程增益放大器（PGA），内置两通道PGA，可设置4/8/10/12/14/16/32倍增益，带外部GND引脚（可用作差分模式）
• I/O端口26～40个，能进行N沟道漏极开路、内部上下拉的切换，内置按键中断检出功能，内置时钟输出/蜂鸣器输出的控制电路
• 16位定时器8通道，15位间隔定时器1个，实时时钟（RTC）1个（具有万年历、闹钟功能，并且支持大范围的时钟校正），看门狗定时器（WWDT）1个，SysTick定时器
• 3通道串行通讯单元，每通道可以自由配置成1通道标准UART、2通道SPI或2通道简易I2C，标准SPI 1通道（支持8bit和16bit），标准I2C 1通道，IrDA 1通道
• 符合IEC/UL 60730相关标准，异常存储空间访问报错，支持RAM奇偶校验，支持硬件CRC校验，支持重要SFR保护，防止误操作，128位唯一ID号，debug模式下的Flash二级保护（level1：只能进行flash全领域擦除，不能读写；level2：仿真器连接无效，对flash操作不可）

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