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HY3708P
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:170A
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- 描述
- 特性：80V/170A，RDS(ON) = 3.8mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准）。应用：逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY3708P
- 商品编号
- C2835639
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 288W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.109nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 995pF |
商品概述
CoolMOS E6系列融合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流创新技术。该系列器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关超结MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
~~- 极低的品质因数Rds(ON)*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用和驱动-通过JEDEC认证,无铅镀层,无卤
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级
- 硬开关脉宽调制（PWM）级
- 用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）的谐振开关PWM级
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