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HY5204W
N沟道,电流:320A,耐压:40V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY5204W
- 商品编号
- C2833381
- 商品封装
- TO-247A-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 231nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.293nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.036nF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于要求卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.3 mΩ(典型值)
- 40V/320A
- 雪崩额定
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 逆变器系统的电源管理。
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