温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CS6N80ARR-G
N沟道 耐压:800V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CS6N80 ARR-G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 262，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS6N80ARR-G
- 商品编号
- C2832481
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.556nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用