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HGE055NE4A
N沟道,电流:18A,耐压:45V
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- HGE055NE4A
- 商品编号
- C2832484
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.246克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.156nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款SuperMESH3功率MOSFET是在SuperMESH技术基础上改进，并结合全新优化垂直结构的成果。该器件具有极低的导通电阻、卓越的动态性能和高雪崩能力，适用于要求极为严苛的应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 5.5 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路
- DC/DC转换器中的同步整流