CS2N70A3R1-G
N沟道,电流:2A,耐压:700V
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- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS2N70A3R1-G
- 商品编号
- C2832482
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这些器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最苛刻的高效转换器。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 6.5Ω)
- 低栅极电荷(典型数据:8.5nC)
- 低反向传输电容(典型值:3.8pF)
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路