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AO3485C
1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- Trench Power MOSFET技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。符合RoHS和无卤标准
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3485C
- 商品编号
- C2830729
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 0.8A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 250 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 300 mΩ
- 静电放电（ESD）保护
应用领域
-该器件非常适合用作负载开关