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MX25L6436FM2I-08Q
3V、64Mbit CMOS串行多输入/输出闪存
- 描述
- 特性：支持串行外设接口。 模式0和模式3。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O读取模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。 2048个相等的扇区，每个扇区4K字节。 任何扇区都可以单独擦除。 256个相等的块，每个块32K字节
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L6436FM2I-08Q
- 商品编号
- C2830754
- 商品封装
- SOP-8-208mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.414克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.65V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 1.2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 250ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品特性
- 特殊块保护级别
- 多I/O支持 - 单I/O、双I/O和四I/O
- 保持功能
- 程序暂停/恢复和擦除暂停/恢复
- 支持串行外设接口 -- 模式0和模式3
- 7108864×1位结构或33554432×2位（双I/O读取模式）结构或16777216×4位（四I/O模式）结构
- 2048个相等的扇区，每个扇区4K字节 - 任何扇区都可以单独擦除
- 256个相等的块，每个块32K字节 - 任何块都可以单独擦除
- 128个相等的块，每个块64K字节 - 任何块都可以单独擦除
- 电源操作 - 读取、擦除和编程操作的电压为2.65至3.6伏
- 从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA
- 高性能VCC = 2.65~3.6V - 正常读取 - 50MHz - 快速读取 - FAST_READ、DREAD、QREAD：8个空周期时为133MHz - 2READ：4个空周期时为80MHz，8个空周期时为133MHz - 4READ：6个空周期时为80MHz，10个空周期时为133MHz - 2READ和4READ操作的可配置空周期数 - 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
- 低功耗
- 典型的100,000次擦除/编程周期
- 20年数据保留
- 输入数据格式 - 1字节命令代码
- 高级安全功能 - 特殊块锁定保护，BP0 - BP3和T/B状态位定义要保护的区域大小，防止编程和擦除指令
- 额外的8K位安全OTP - 具有唯一标识符 - 工厂锁定可识别，客户可锁定
- 自动擦除和自动编程算法 - 自动擦除并验证所选扇区的数据 - 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动定时编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
- 状态寄存器功能
- 命令复位
- 程序/擦除暂停
- 程序/擦除恢复
- 电子识别 - JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID - RES命令用于1字节设备ID
- 支持串行