温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WST2N7002A
1个N沟道 耐压:60V 电流:700mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WST2N7002A 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具备极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。WST2N7002A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2N7002A
- 商品编号
- C2830888
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 765mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 具备非钳位感性开关（UIS）额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
相似推荐
其他推荐