温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB6NK90ZT4
1个N沟道 耐压:900V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为要求最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB6NK90ZT4
- 商品编号
- C315154
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用
其他推荐
- MJE2955T
- STTH15L06D
- HB9500M-9.5-08P-13-00A
- HB9500-9.5-03P-13-00A
- CL05A106MP5NUNC
- WJ762-7.62-05P-14-00A
- LE1C472ML200A00CE0
- RL0J223MM400A00CE0
- LB2A681MM350A00CV0
- LE2E101ML250A00CE0
- LE2W470ML250A00CV0
- LE2C331ML320A00CV0
- LE1K102ML350A00CE0
- GF1J221MG160A00CV0
- LB1C101MC110A00CV0
- LB1C221ME110A00CV0
- VH1H331MI135000CE0
- GF1A221MC110A00CV0
- HI7001
- HI7002
- HI8001