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STP14NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:12A
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- 描述
- 这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP14NM50N
- 商品编号
- C315152
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合,实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
- STB6NK90ZT4
- MJE2955T
- STTH15L06D
- HB9500M-9.5-08P-13-00A
- HB9500-9.5-03P-13-00A
- CL05A106MP5NUNC
- WJ762-7.62-05P-14-00A
- LE1C472ML200A00CE0
- RL0J223MM400A00CE0
- LB2A681MM350A00CV0
- LE2E101ML250A00CE0
- LE2W470ML250A00CV0
- LE2C331ML320A00CV0
- LE1K102ML350A00CE0
- GF1J221MG160A00CV0
- LB1C101MC110A00CV0
- LB1C221ME110A00CV0
- VH1H331MI135000CE0
- GF1A221MC110A00CV0
- HI7001
- HI7002