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SCT30N120
碳化硅功率MOSFET 1200V 45A 90mΩ
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- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT30N120
- 商品编号
- C2826411
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 9.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品概述
该碳化硅功率MOSFET利用宽带隙材料的先进特性生产，具有出色的单位面积导通电阻和几乎不受温度影响的良好开关性能。SiC材料的优异热性能结合HiP247™封装，使设计人员能够使用行业标准外形，同时显著提高热性能。这些特性使该器件非常适合高效和高功率密度应用。
商品特性
- 导通电阻随温度变化非常小
- 极高的工作结温能力（T_J=200℃）
- 非常快速且坚固的本征体二极管
- 低电容
应用领域
- 太阳能逆变器、UPS
- 电机驱动
- 高压DC-DC转换器
- 开关模式电源