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STGB20H60DF
STGB20H60DF
- 描述
- 600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB20H60DF
- 商品编号
- C2826413
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 177ns | |
| 导通损耗(Eon) | 209uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 261uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/圆盘
总价金额：
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