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IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN10S5L094DATMA1
- 商品编号
- C27755423
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.611nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 273pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 用于汽车应用的 OptiMOSTM 功率 MOSFET
- N 沟道 – 增强模式 – 逻辑电平
- 超出 AEC-Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高可达 260°C 峰值回流温度的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 符合 RoHS 标准
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。