- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMLT65R050M2HXTMA1
碳化硅MOSFET，采用第二代沟槽技术，具有超低开关损耗和高可靠性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMLT65R050M2HXTMA1
- 商品编号
- C27757519
- 商品封装
- PG-HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 半桥 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |
商品概述
基于英飞凌稳健的第二代碳化硅沟槽技术，650V CoolSiC MOSFET提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现高性价比、高效率且简化的设计，以满足不断增长的系统与市场需求。
商品特性
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.5V
- 即使在关断栅极电压为0V时，也能稳健抵抗寄生导通
- 灵活的驱动电压，兼容双极性驱动方案
- 在硬换流事件下具有稳健的体二极管运行特性
- 采用.XT互连技术，实现一流的散热性能
应用领域
- SMPS
- 太阳能光伏逆变器
- 储能与电池化成
- UPS
- EV充电基础设施