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IPT60R180CM8XTMA1
高压功率MOSFET，结合快速开关和易用性，低开关和传导损耗
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT60R180CM8XTMA1
- 商品编号
- C27755665
- 商品封装
- PG-HSOF-8-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 743pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CoolMOS第八代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的换代产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如低振铃倾向,所有产品均采用快速体二极管(CFD),具备出色的硬换向鲁棒性和优秀的ESD能力。此外,CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
商品特性
- 凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
- 显著降低开关和传导损耗
- 超低的RDS(on)*A使每个封装产品的RDS(on)处于同类最佳水平
应用领域
-电源和转换器-PFC级和LLC谐振转换器-高效开关应用 例如:服务器、电信、电动汽车充电、UPS