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IXTQ69N30P实物图
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IXTQ69N30P

N沟道 耐压:300V 电流:69A

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描述
特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻和栅极电荷。 低封装电感。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
商品型号
IXTQ69N30P
商品编号
C27756225
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)69A
导通电阻(RDS(on))49mΩ
耗散功率(Pd)500W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)180nC@10V
输入电容(Ciss)4.96nF@10V
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)760pF

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