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RU30J30M
2个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：30V/30A, RDS(ON) = 7mΩ (Typ.)@VGS = 10V, RDS(ON) = 9.5mΩ (Typ.)@VGS = 4.5V。快速开关速度。低栅极电荷。100%雪崩测试。提供无铅和绿色器件（符合RoHS）。应用：开关应用系统。DC/DC转换器
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU30J30M
- 商品编号
- C2803361
- 商品封装
- PDFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 75 A条件下，RDS(on) = 6.85 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低，QG = 64.5 nC（典型值）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器