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RU40C40L4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU40C40L4

互补高级功率MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:40A

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描述
特性:N沟道 40V/40A,导通电阻RDS(ON) 在VGS = 10V时为13mΩ(典型值),在VGS = 4.5V时为16mΩ(典型值)。P沟道 -40V/-40A,导通电阻RDS(ON) 在VGS = -10V时为16mΩ(典型值),在VGS = -4.5V时为25mΩ(典型值)。快速开关速度。低栅极电荷。ESD保护。提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)。应用:负载开关
商品型号
RU40C40L4
商品编号
C2803362
商品封装
TO-252-4L​
包装方式
编带
商品毛重
0.466克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V,16A
耗散功率(Pd)73W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)2.27nF@20V
反向传输电容(Crss)135pF@20V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道+P沟道

数据手册PDF