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RU6099S-R
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 特性：60V/120A，导通电阻RDS(ON)=6mΩ（典型值），栅源电压VGS=10V。 超低导通电阻。 出色的dv/dt能力。 快速开关，完全雪崩额定。 100%雪崩测试。 工作温度175℃。应用：开关应用系统。 逆变器系统
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU6099S-R
- 商品编号
- C2803367
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.103克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
CR7N65F A9K 是硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。