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RUH1H80M实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RUH1H80M

N沟道 耐压:100V 电流:80A

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描述
特性:100V/80A。 RDS(ON) = 6mΩ (Typ.)@VGS = 10V。 RDS(ON) = 9mΩ (Typ.)@VGS = 4.5V。 超低导通电阻。 快速开关速度。 100%雪崩测试。应用:LED背光。 服务器板载电源
商品型号
RUH1H80M
商品编号
C2803376
商品封装
DFN-8(5.1x5.7)​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.85nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)390pF

商品特性

  • 70V/80A,RDS(ON) = 7 mΩ(典型值),VGS = 10 V
  • 超低导通电阻
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 工作温度达175°C
  • 有无铅环保器件(符合RoHS标准)
  • 无铅
  • 符合RoHS标准
  • 无卤
  • N沟道MOSFET

应用领域

  • 电机驱动-不间断电源-DC/DC转换器-通用应用

数据手册PDF