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RU8205BC6
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：20V/6A。 RDS(ON)=11mΩ (Typ.)@VGS = 4.5V。 RDS(ON)=16mΩ (Typ.)@VGS = 2.5V。 低RDS(ON)。 超高密度单元设计。 可靠耐用。应用：电源管理
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU8205BC6
- 商品编号
- C2803359
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
这款STripFET™V功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，专门设计用于实现极低的导通电阻，同时提供同类最佳的品质因数。
商品特性
- RDS(on) ⋆ Qg行业基准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的开关栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
- DPAK
- IPAK
应用领域
- 开关应用