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MX25L12845GXDI-08G实物图
  • MX25L12845GXDI-08G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25L12845GXDI-08G

3V、128Mbit CMOS MXSMIO(串行多I/O)闪存

描述
特性:支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读写、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。134,217,728 x 1比特结构或67,108,864 x 2比特(双I/O模式)结构或33,554,432 x 4比特(四I/O模式)结构。协议支持
品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25L12845GXDI-08G
商品编号
C2802947
商品封装
CSPBGA-24(6x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.152479克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量128Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流150uA
属性参数值
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)250us
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品特性

  • 支持串行外设接口——模式0和模式3
  • 单电源供电
  • 读、擦除和编程操作电压范围为2.7至3.6伏
  • 134217728 x 1位结构,或67108864 x 2位(双I/O模式)结构,或33554432 x 4位(四I/O模式)结构
  • 协议支持:单I/O、双I/O和四I/O
  • 在-1V至Vcc +1V范围内,闩锁保护电流可达100mA
  • 低Vcc写禁止电压范围为1.5V至2.5V
  • SPI模式下快速读取
  • 所有协议支持最高133MHz的时钟频率
  • 支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
  • 支持DTR(双倍传输速率)模式
  • 快速读取操作的空周期数可配置
  • 支持性能增强模式 - XIP(即取即用)
  • 具备四外设接口(QPI)
  • 具有相等的4K字节扇区,或每个为32K字节或64K字节的相等块
  • 任何块都可单独擦除
  • 编程:256字节页缓冲区;四输入/输出页编程(4PP)以提高编程性能
  • 典型的擦除/编程循环次数为100000次
  • 数据保留时间为20年
  • 输入数据格式:1字节命令代码
  • 高级安全特性:块锁定保护,BP0 - BP3和T/B状态位定义受保护区域的大小,防止编程和擦除指令;单个扇区保护功能(固态保护)
  • 额外的4K位安全OTP,具有唯一标识符,工厂锁定可识别,客户可锁定
  • 命令复位,支持编程/擦除暂停和恢复操作
  • 电子识别:JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID;RES命令用于获取1字节设备ID;REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • SCLK输入:串行时钟输入

数据手册PDF