MX25L12845EMI-10GTR
MX25L12845EMI-10GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L12845EMI-10GTR
- 商品编号
- C2802942
- 商品封装
- SOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 5ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 700ms@(64KB) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品概述
MX25L12845E是一款高性能串行闪存,采用先进的CMOS浮栅工艺技术制造。该器件通过标准串行外设接口(SPI)进行访问,支持时钟频率高达133MHz,并兼容串行外设接口(SPI)模式0和模式3。其存储容量为128M位,内部组织为256个可擦除扇区,每个扇区包含256个可编程页,每页大小为256字节。该器件提供灵活的擦除功能,支持扇区擦除(4K字节)、块擦除(32K字节和64K字节)以及整片擦除。编程操作以页为单位进行。该器件还包含一个具有一次性可编程(OTP)区域的256字节安全寄存器,用于增强数据保护。此外,它支持多种高性能读取模式,包括标准SPI、双输出SPI、四输出SPI以及相应的双倍数据传输率(DTR)模式,以实现更快的读取速度。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电,工作温度范围为-40°C至85°C,并提供多种节省功耗的模式。
商品特性
- 存储容量:128M位
- 标准串行外设接口(SPI)
- 模式0和模式3
- 时钟频率高达133MHz
- 双倍数据传输率(DTR)支持
- 在DTR模式下,时钟频率高达66MHz
- 高性能读取模式
- 标准SPI:最高时钟频率133MHz
- 双输出SPI:最高时钟频率133MHz
- 四输出SPI:最高时钟频率133MHz
- 双输出SPI DTR:最高时钟频率66MHz
- 四输出SPI DTR:最高时钟频率66MHz
- 灵活的擦除架构
- 统一4K字节扇区擦除
- 统一32K字节块擦除
- 统一64K字节块擦除
- 整片擦除
- 编程
- 页编程(最大256字节)
- 四输入页编程
- 增强的数据保护
- 通过状态寄存器实现软件和硬件写保护
- 顶部或底部扇区阵列保护(TB=1)
- 可选的独立扇区块锁定
- 上电和断电写保护
- 可编程写保护选择位(WPSEL)
- 安全特性
- 256字节一次性可编程(OTP)区域
- 64位ID
- 低功耗特性
- 深度掉电模式(典型值1μA)
- 待机电流(典型值5μA)
- 高可靠性
- 耐久性:每个扇区可承受100,000次编程/擦除循环
- 数据保留期:20年
- 封装选项
- 8引脚SOP(208mil)
- 16引脚SOP(300mil)
- 8接触点WSON(6mm×8mm)
- 24球TFBGA(6mm×8mm)
- 温度范围
- 工业级:-40°C ~ 85°C
- 电源电压:2.7V ~ 3.6V
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