MX25V5126FM1ITR

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25V5126FM1ITR
商品编号: C2802939
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	20ms
	页写入时间(Tpp)	1.6ms
	块擦除时间(tBE)	600ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

该器件是一款2.3V至3.6V、512K位（组织为524,288 x 1位或262,144 x 2位）的CMOS串行NOR闪存。它支持串行外设接口模式0和模式3，采用单电源供电，适用于读取、擦除和编程操作。存储器划分为大小相等的扇区（每个4K字节）或块（每个32K/64K字节），支持单个块独立擦除。器件具有锁存保护功能，在-1V至Vcc+1V范围内可承受100mA电流。它提供快速读取、编程和擦除性能，并具备低功耗特性，包括低活动读取电流、低待机电流和深度掉电模式。软件功能包括基于状态寄存器的块锁定保护、自动擦除与编程算法，以及电子识别（JEDEC设备ID和RES命令设备ID）。硬件特性包括支持双I/O操作和ID。

商品特性

工作电压范围：2.3V ~ 3.6V
支持双I/O操作
具备ID
支持条件加速的块擦除时间和芯片擦除时间
增强的编程和擦除性能（用于提高工厂生产吞吐量）
支持串行外设接口模式0和模式3
存储器结构：524,288 x 1位或262,144 x 2位（双输出模式）
扇区大小均为4K字节，或块大小均为32K/64K字节
支持单个块独立擦除
单电源操作
锁存保护：在-1V至Vcc+1V范围内可达100mA
高性能：快速读取（1 I/O模式下104MHz@2.7V-3.6V，80MHz@2.3V-2.7V；2 I/O DREAD指令下104MHz@2.7V-3.6V，80MHz@2.3V-2.7V）、快速编程时间（1.6ms/页）、快速擦除时间（扇区50ms典型值，32K字节块0.3s典型值，64K字节块0.6s典型值，芯片1.8s典型值）
低功耗：低活动读取电流（50MHz下最大6mA）、低活动编程电流（典型值5mA/页）、低活动扇区擦除电流（典型值5mA）、低待机电流（典型值5uA）、深度掉电模式（典型值1uA）
耐久性：最小100,000次擦除/编程周期
数据保持：20年
软件特性：输入数据格式为1字节命令码；通过BP0-BP3状态位定义软件保护区域大小，防止编程和擦除指令；具备自动擦除和自动编程算法；状态寄存器功能；电子识别（JEDEC 2字节设备ID，RES命令1字节设备ID）
支持ID

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Kbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	5uA
	擦写寿命	100000次