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STU7NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- 这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这些具有革新性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为严苛的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STU7NM60N
- 商品编号
- C310414
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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