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SFS06R06DF
增强型N沟道功率MOSFET 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- FSMOS 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）基于独特的器件设计，实现了低导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统而设计。
- 商品型号
- SFS06R06DF
- 商品编号
- C2762914
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 135V/200A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.0mΩ（典型值）
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源
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