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STP42N65M5
N沟道,电流:33A,耐压:650V
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- 描述
- N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、33 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP42N65M5
- 商品编号
- C2760764
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NexFET功率MOSFET专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 极低的RDS(on)
- 低栅极电荷和输入电容
- 出色的开关性能
- 100%雪崩测试
应用领域
-开关应用
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