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STP170N8F7
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP170N8F7
- 商品编号
- C2760768
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容C_rss (典型值2.2 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 增强的dv/dt能力
- RoHS产品
应用领域
-高频开关模式电源-电子镇流器-LED电源
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