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STP170N8F7
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP170N8F7
- 商品编号
- C2760768
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.33nF |
商品特性
- 市场上最低的RDS(ON)之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低 Crss / Ciss 比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐受性
应用领域
- 开关应用
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