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STPSC10H12D
碳化硅功率肖特基二极管，无反向恢复，开关特性不受温度影响，适用于PFC和次级侧应用
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- 描述
- 1200 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC10H12D
- 商品编号
- C2760762
- 商品封装
- TO-220AC-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 独立式 | |
| 整流电流 | 10A | |
| 正向压降(Vf) | 1.35V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 1.2kV | |
| 反向电流(Ir) | 5uA@1.2kV | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 71A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
SiC二极管有TO-220AC、DPAK HV、D²PAK和DO-247 LL封装，是高性能功率肖特基整流器。采用碳化硅衬底制造，宽带隙材料允许设计额定电压1200V的低正向电压肖特基二极管结构。由于肖特基结构，关断时无恢复现象，振铃模式可忽略，最小电容关断行为与温度无关。高正向浪涌能力确保瞬态阶段的良好鲁棒性。评估传导损耗的公式为P=1.03×I_F(AV)+0.122I_F²(RMS)，电容电荷的最准确值公式为Q_cj(V_R)=∫₀^V_R C_j(V)dV。
商品特性
- 无或可忽略的反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 坚固的高压外围
- 工作温度范围-40℃至175℃
- 低正向电压
- 符合ECOPACK®2标准
- 高正向浪涌能力
应用领域
- PFC应用
- 次级侧应用