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DSS2540M-7B
PNP 电流:500mA 电压:40V
- 描述
- 特性：BVCEO > 40V (Ic = 500mA)。 高集电极电流 Icm = 1A。 峰值脉冲电流。 功率耗散 Pd = 1000mW。 低集电极-发射极饱和电压。 封装尺寸 0.60mm²，比 SOT23 小 13 倍。 封装高度 0.5mm，减少板外轮廓。 互补 NPN 型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 JEDEC 标准，适用于高可靠性应用
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS2540M-7B
- 商品编号
- C2760641
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 150@100mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 40 V
- 集电极电流（IC）= 500 mA（高集电极电流）
- 集电极峰值脉冲电流（ICM）= 1A
- 功率耗散（PD）= 1000 mW
- 低集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat)
- 封装占位面积为 0.60 mm²，比 SOT23 小 13 倍
- 封装高度为 0.5mm，可最大程度降低板外轮廓
- 互补 NPN 型 DSS3540M
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（参考 AEC - Q），具有高可靠性
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